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応用物理学会半導体分野将来基金委員会/編 -- 近代科学社Digital -- 2025.2 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
県立 一般閲覧室 /549/8/206 1110389921 一般   在架 iLisvirtual

資料詳細

タイトルシリコンに導入されたドーパントの物理
タイトルカナシリコン ニ ドウニュウ サレタ ドーパント ノ ブツリ
著者 応用物理学会半導体分野将来基金委員会 /編  
著者カナオウヨウ ブツリ ガッカイ
出版地[東京]
出版地東京
出版者近代科学社Digital
出版者近代科学社(発売)
出版年2025.2
ページ数361p
大きさ26cm
書誌年譜年表文献:章末
内容紹介半導体デバイスにおいて重要な技術である不純物ドーピングの基本的な課題や疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点からわかりやすく解説する。名取研究会(半導体分野将来基金研究会)の講演をもとに単行本化。
一般件名シリコン(半導体)
ISBN13978-4-7649-0718-8
本文の言語jpn
書誌番号1112012153

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